арсенид
51полупроводниковые материалы — полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. Используют главным образом кристаллические полупроводниковые материалы (например, легированные монокристаллы кремния или германия, химические соединения некоторых… …
52электронно-дырочный переход — то же, что р n переход. * * * ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (p n переход, n p переход), переходная область полупроводника (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от… …
53Галлий — 31 Цинк ← Галлий → Германий …
54Индий — 49 Кадмий ← Индий → Олово …
55Перманганат калия — Перманганат калия …
56Лазерный диод — Лазерный диод  полупроводниковый лазер, построенный на базе диода. Его работа основана на возникновении инверсии населённостей в области p n перехода при инжекции носителей заряда.[1][2] Содержание 1 П …
57Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы — Химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (анг. Metalorganic chemical vapour deposition) метод получения материалов, в том числе эпитаксиального роста полупроводников, путём термического разложения… …
58Манганаты — манганат анион MnO42− Манганаты  соли нестойких, несуществующих в свободном состоянии кислородных кислот марганца в степенях окисления V, VI и VII и содержащие тетраэдрические анионы MnO43− …
59Вольфрамат кадмия — Вольфрамат кадмия, вольфрамовокислый кадмий, CdWO4 (обозначается также CWO)  кадмиевая соль вольфрамовой кислоты. Тяжелый, нерастворимый в воде и неорганических кислотах, химически инертный кристаллический порошок. Синтезируется из смеси… …
60Манганиты — Манганиты  вещества на основе марганца, представители класса окислов переходных металлов. Наибольший интерес представляют соединения типа , где A  двухвалентный элемент (Ca, Ba, Sr, …). Концентрация x элемента A может меняться в широких …
